湖北交流高压220V转3.3V供电WIFI非隔离BUCK电源芯片加工

交流高压AC220降压12VDC电压电源芯片，KP1505X高性能、低成本离线式PWM控制功率开关KP1505X系列是一款高性能低成本PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP1505X内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。此外，芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。KP1505X集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、过热保护、过载保护和VDD过压保护等。优化轻载噪音、提升系统抗干扰能力。湖北交流高压220V转3.3V供电WIFI非隔离BUCK电源芯片加工

降压非隔离电源芯片220V转5V，KP320X集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护(UVLO)、逐周期电流限制(OCP)、输出过压保护(OVP)、FB异常保护、过载保护(OLP)和过热保护等(OTP)。主要特点•固定5V输出•集成650V高压MOSFET和高压启动电路•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•待机功耗低于100mW•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•FB异常保护•异常过流保护(AOCP)•过热保护(OTP)•封装类型SOP-8安徽交流高压220V转3.3V供电WIFI非隔离BUCK电源芯片资料可调输出电压，比较高输出电流限制的特 点，适用于非隔离型AC-DC。

如果输出电容在芯片启动时已经处于预偏置电压状态，芯片*在内部参考电压SS 大于反馈电压VFB 后才启动开关，VOUT 开始上升。该预偏置软启动方案保证了芯片输出电压平稳地上升进入稳定状态。集成了输出欠压打嗝保护(UVP) 功能，通过不断监测反馈电压VFB 防止芯片输出过载或短路。如果VFB 低于输出欠压保护阈值(VUVP) (典型值为内部反馈参考电压的65%)，欠压比较器的输出将会置高，以关闭内部高侧和低侧MOSFET 开关管，阻止芯片继续开关工作。

220V降压非隔离固定12V输出、高性能低成本离线式PWM控制功率开关KP322X系列是一款高性能低成本PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP322X内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。此外，芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。KP322X集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、过热保护、过载保护和VDD过压保护等芯片采用准谐 振开关技术，可获得优越的EMI 性能和较高的系统 效率。

芯片内部集成有AC同步检测电路，该电路通过Drain端对地内置的分压电阻检测AC信号。当芯片检测到Drain端电压低于VAC_sync_OFF以后，内部功率MOSFET随即打开对VDD电容进行充电。由于芯片Drain端对地存在寄生电容，导致Drain端电压可能过高，芯片将一直无法进入充电窗口。针对该问题，芯片内部设计了主动式泄放电路：该泄放电路在VDD电压低于VDD_OVP_hys后打开内部Drain-VDD的高压电流源泄放通道，并在VDD电压达到VDD_OVP以后关闭该泄放通道。通过对芯片Drain端寄生电容的主动式泄放控制，确保了足够的输入能量可以在充电窗口期间对VDD进行充电。此外，当各种保护（UVP,OLPorOTP）发生时，主动式泄放电路也将打开，对VDD电容进行充电，同时对Drain端寄生电容进行放电，以此确保后续保护逻辑的顺利展开和自恢复重启的顺利进行。工作在强制脉宽调制模式(FPWM) 下以实现全负载电流下固定的开关频率和低输出纹波。上海低功耗18V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片定制

集成有完备的带自恢复功能的保护功能： VDD 欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、 过热保护。湖北交流高压220V转3.3V供电WIFI非隔离BUCK电源芯片加工

KP52220XA采用内置电压误差积分器的恒定导通时间控制(COT)策略。COT控制利用输出电压谷底纹波基于比较器和导通时间定时器实现输出电压调控的目的。在每个周期的开始，每当反馈引脚FB上的电压低于内部参考电压时，芯片内置高侧MOSFET(HSF)被打开，并且持续开通固定的导通时间后关闭，此开通时间由导通时间定时器确定。该导通时间定时器由输出电压和输入电压共同决定，以使开关频率在全输入电压范围内保持接近恒定。当导通时间定时器定时完毕后，HSF将会保持关闭至少200ns(**小关断时间)。**小关断时间后，如果反馈引脚FB上的电压低于内部参考电压，则HSF将再次打开一个固定导通时间。湖北交流高压220V转3.3V供电WIFI非隔离BUCK电源芯片加工

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